南京大学团队研制高精度模拟存算一体芯片 刷新运算精度纪录

南京大学类脑智能科技研究中心团队研发出一款基于互补金属氧化物半导体工艺的模拟存算一体芯片。该芯片采用将计算权重由物理状态参数转换为器件几何尺寸比的新方案，提升了计算精度与稳定性。测试显示，其在并行向量矩阵乘法运算中实现0.101%的均方根误差，创下模拟存内计算领域最高精度纪录。芯片在-78.5℃至180℃温度范围及强磁场环境下仍保持稳定运行，输出电流变化不超过0.21%。相关成果已发表于《科学·进展》。